A QuInAs realizou a primeira demonstração pública da tecnologia UltraRAM.
Os novos chips oferecem durabilidade muito superior a das memórias flash (NAND), além de entregar velocidades até dez vezes maiores do que as possíveis com as memórias RAM atuais.
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| Memoria Ram Netac DDR4 RGB, 32GB, 3600mhz |
Com a apresentação, a QuInAs quer validar o potencial comercial da nova tecnologia, além de garantir investimentos para sua pesquisa e desenvolvimento. A demonstração foi realizada no departamento de física da Universidade de Lancaster, no Reino Unido, e acompanhado pelo portal Tom’s Hardware.
Futuro das soluções de armazenamento
A nova tecnologia combina o perfil não-volátil de memórias NAND, utilizadas para armazenamento de longo prazo, com velocidade superiores às de DRAM, utilizada para armazenamento de curto prazo. O primeiro diferencial da UltraRAM é justamente a capacidade de reter a informação mesmo após a energia ser cortada.
Segundo a QuInAs, o novo chip oferece até 4000 vezes a durabilidade
dos chips NAND atuais e consegue armazenar dados por mais de mil anos.
Ele também oferece um décimo da latência de chips de DRAM, com 100 vezes
mais eficiência energética.
Ainda em fase de desenvolvimento, os módulos mais avançados de UltraRAM podem ser fabricados em litografia de 20nm. Considerando que as principais fabricantes de memórias produzem chips abaixo dos 15nm, o tamanho atual pode não ser exatamente impressionante.
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No entanto, a QuInAs já está trabalhando para reduzir as dimensões do chip nos próximos meses e garantir mais investimentos na pesquisa e nos equipamentos disponíveis no departamento para garantir melhorias consideráveis antes do eventual lançamento comercial.
Tecnologia baseada em fenômeno quântico
O
segredo por trás das UltraRAM é sua Estrutura de Tunelamento Ressonante
de Barreira Tripla (TBRT). De acordo com a pesquisa da Universidade
Lancaster, ela opera de maneira semelhante à estrutura dos chips NAND,
mas com mecanismo de leitura e retenção não-destrutiva de dados,
garantindo durabilidade exponencialmente maior.
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A TBRT evita que o módulo seja desgastado e a informação seja perdida entre ciclos de leitura e escrita. Por essa razão, a estimativa é que o novo chip tenha durabilidade de até 10 milhões de ciclos.
Graças ao tunelamento ressonante, a nova memória consegue realizar a
abertura e fechamento dos portões de carga para inserir e acessar dados
muito mais rapidamente e consumindo muito menos energia. Este fenômeno
quântico tem potencial para permitir operações de escrita de até 1ns
(nanossegundo), dez vezes mais rápido do limite atual das DRAMs.
A chegada da nova tecnologia ao mercado ainda parece estar distante, mas o governo do Reino Unido já custeou um estande para exposição da UltraRAM na SEMICON 2023 em Taiwan. Dessa forma, é possível que em breve a QuInAs consiga firmar parcerias com fabricantes do mercado asiático, acelerando o lançamento comercial do produto.
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