A Samsung anunciou um novo módulo de memória com nada menos que 512 GB de RAM. O componente é o primeiro baseada no padrão DDR5 a ser feito com a tecnologia de alto desempenho High-K Metal Gate (HKMG) e promete caprichar não apenas na capacidade, mas também no desempenho.
Grande parte dos benefícios vem do uso da tecnologia HKMG, que já é adotada pela Samsung desde 2018 em soluções GDDR6, amplamente adotadas em placas de vídeo. A novidade melhora o isolamento de corrente dos módulos de memória ao deixar de lado o silício e utilizar uma nova seleção de metais na construção do componente.
Foco nos servidores
A Samsung explica que o novo módulo é feito com a tecnologia TSV, que é utilizada desde 2014 pela empresa para fazer o "empilhamento" de memória. O componente anunciado pela companhia que traz 512 GB de capacidade utiliza chips com oito camadas de DRAM trazendo 16Gb.
Como a tecnologia DDR5 ainda não está difundida no mercado de PCs domésticos, a poderosa memória RAM da Samsung chegará primeiro aos computadores voltados para data centers e soluções de inteligência artificial. A Intel disse que o novo módulo da Samsung será compatível com os processadores Xeon "Sapphire Rapids", que chegam neste ano e terão controladores de até oito canais, permitindo a criação de máquinas com transferência de até 460 GB/s.
Em um comunicado, a Samsung disse que já está trabalhando com variantes de memórias DDR5 que serão aplicadas em diferentes cenários por parceiros, desde aceleração para inteligência artificial até "cargas de trabalho com dados."
O uso de DDR5 em computadores domésticos deve crescer com as próximas gerações de processadores da Intel e AMD. Segundo as especulações, tanto a linha Alder Lake quanto a série de chips Zen 4 chegarão ao mercado com suporte para a tecnologia.
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